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TALD-150L原子層沉積系統
1、最低反應溫度≤50℃（HfO2、Al2O3）；
2、均勻流場，低溫工藝顆粒少；
3、深寬比≥70:1，保型生長。
所屬分類: 原子層沉積系統（TALD）
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